Wachsender Bedarf nach mehr Effizienz
Embedded Memories funktionieren immer besser
09.07.2007
Werner Kurzlechner lebt als freier Journalist in Berlin und beschäftigt sich mit Rechtsurteilen, die Einfluss auf die tägliche Arbeit von Finanzentscheidern nehmen. Als Wirtschaftshistoriker ist er auch für Fachmagazine und Tageszeitungen jenseits der IT-Welt tätig.
Forscher experimentieren derzeit mit neuen Materialien wie Kohlenstoff-Nano-Röhren sowie molekularen und biomolekularen Stoffen, denn alle gängigen Lösungen sind mit spezifischen Problemen behaftet.
Ferroelektrischen RAMs (FRAM) fehlt es an Dichte, magnetoresistive (MRAM) und auf Phasenwechsel gepolte RAMs (PRAM) verschwenden Energie. Eingebettete statische (eSRAM) und dynamische (eDRAM) Speichergeräte zeigen sich demgegenüber fehleranfällig und unbeständig.
Der Report "Advances in Embedded Memories" von Frost & Sullivan setzt sich ausführlich mit dem Thema auseinander.