3D-NAND-Flash

Intel und Micron wollen Kapazität von SSDs drastisch erhöhen

27. März 2015
Mehr als 10 Terabyte an Daten soll eine 2,5-Zoll-SSD mit neuen Flash-Chips fassen können, die Intel gemeinsam mit dem US-Unternehmen Micron Technology entwickelt.

Solid-State Drives (SSDs) etwa für PCs haben heute ein Fassungsvermögen von rund 1 bis 3 Terabyte. Für die erhöhte Kapazität haben die Unternehmen die Speicherzellen in dreidimensionaler Architektur angeordnet. Im herkömmlichen Produktionsverfahren von Flash-Speichern seien die physikalischen Grenzen nahezu ausgereizt, teilte Intel am Donnerstag (Ortszeit) mit.

Die von 3D-NAND-Flash, im Hintergrund eine M2-SSD mit solchen Chips
Die von 3D-NAND-Flash, im Hintergrund eine M2-SSD mit solchen Chips
Foto: Intel

Die neue "3D-NAND"-Technologie solle einen "dramatischen Einfluss" darauf haben, künftig Flash-Laufwerke mit mehr Leistung bei geringeren Kosten produzieren zu können, heißt es bei Intel. Und das auf kleinstem Raum: Ein kaugummistreifengroßes Laufwerk ("M2"-Formfaktor) soll demnach rund 3,5 Terabyte an Daten fassen können. Samsung hatte bereits im vergangenen Jahr erste 3D-Flash-Chips auf den Markt gebracht. Intels und Microns Verfahren solle laut den Unternehmen aber die dreifache Leistung bringen.

Die einzelnen Speicherzellen von Flash-Speichern etwa in Laptops werden normalerweise nebeneinander positioniert. Indem die Forscher die Zellen nun übereinander in 32 Lagen anordnen, könnten auch die Zellen deutlich größer sein, wie Intel mitteilte. So soll sowohl Leistung als auch Ausdauer der Speicher erhöht werden. Die neuen Speicher seien auch für den Einsatz in Rechenzentren geeignet. Die Produktion der Speicher habe bereits begonnen, im vierten Quartal sollen sie serienreif sein. (dpa/tc)

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